制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PDFN56-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:5.4 A, 4 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V, - 4.5 V

Qg-栅极电荷:20.8 nC, 9.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:18 ns, 44 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns, 28 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns, 44 ns

典型接通延迟时间:7.4 ns, 4 ns